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聚酰亞胺襯底非晶硅薄膜太陽(yáng)電池內(nèi)聯(lián)組件

聚酰亞胺襯底非晶硅薄膜太陽(yáng)電池內(nèi)聯(lián)組件

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級(jí)別:| 積分:0 分 | 瀏覽:79336 | 大。141.00KB | 下載:4392 次 | 上傳:2013-12-11

簡(jiǎn)介:

本文主要研究聚酰亞胺(PI)襯底柔性非晶硅(a-Si)薄膜太陽(yáng)電池內(nèi)聯(lián)組件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及內(nèi)聯(lián)組件制備的關(guān)鍵技術(shù):深度選擇性激光刻蝕。

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